www.f61.org

离子温度元件三菱电机:提高MOSFET的电子迁移率“依然是课题”

英特尔嵌入式处理器全新嵌入式英特尔凌动处理器系统芯片应用论坛在京召开元件蓝图草案JEITA报告会:新材料/新原理的元件驱逐CMOS的想法是错误的马达镜头位置新日本无线推出COBP光反射器NJL5904R巴马手机黑莓美国为奥巴马打造绝密黑莓手机英特尔欧盟可能会英特尔收购McAfee获FTC放行 仍待欧盟批准电池电解质体液美国发明适用于医疗器械的“体液电池”中国业务日本TD-LTE加快在亚洲部署的脚步分销商市场产品线2009元器件分销市场冷热交织 行业呈现六大趋势目的平价核心行业门槛急升 多晶硅业将刮“整合风”

在日本电化学协会电子材料委员会主办的“半导体及集成电路技术第75届研讨会”(2011年7月7日与8日在东京早稻田大学举行)上,三菱电机尖端技术综合研究所的古川彰彦登台演讲,介绍了该公司此前公开的SiC功率元件的研发成果。在演讲最后,还回答了与会者的提问。

会场上的提问主要集中在两个问题上:一个是SiC功率元件的制造工序中注入离子时的基板温度。某装置厂商的技术人员在提问时表示,要求离子注入时基板温度为500℃左右的呼声很高。古川就此表示,即便在更低的基板温度下注入离子问题也不大。实际上,三菱电机就是在200~250℃左右的基板温度下注入离子的。

另一个问题与SiCMOSFET有关。提问者首先提出了MOSFET的电子迁移率问题。这是因为SiCMOSFET的通道迁移率较低。从物性上来说,4H型SiC单晶体中的电子迁移率应为1000cm2/Vs左右,但实际上MOSFET的通道迁移率还不到100cm2/Vs.古川表示,虽然“我个人希望达到100cm2/Vs的目标”,但“想尽了各种办法,迁移率却仍停留在20~40cm2/Vs.不过,我认为(这一迁移率)也能满足耐压1200V级功率元件的要求”(古川)。

此外,还有就MOSFET普及相关课题的提问。古川对此的回答是价格。他说,从专门经营电子部件的商社购买时,电流容量为30A的SiCMOSFET的价格高达8000日元左右。

三星产业市场中国芯片需从政策与体制中破解芯片虎年运营商恩智浦助力深圳轨道交通清分(票务)系统项目建设批评新闻线索邮箱Holtek串行接口的EEPROM塑料橡胶专区第二十五届中国国际塑料橡胶工业展览会固态硬盘算法源科高新推出飓风系列第一代PMC固态存储卡数据系统信号基于DSP双路音频信号实时处理系统设计联发科放弃价格战 将推新品抢占市场批评新闻线索邮箱飞思卡尔半导体推出新的电源管理IC半导体巨头的中国战略

0.29502081871033 s