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内存闪存技术SanDisk:未来10年闪存发展到尽头 3D内存成接班人

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SanDisk认为,未来10年闪存将发展到尽头,3D内存技术将成为闪存的接班人。

SanDisk上周表示,由于闪存具有局限性,它的发展未来将走到尽头,SanDisk希望3D读写内存能够成为替代产品,这种技术是由SanDisk2005年收购的Matrix半导体公司开发。

3D内存芯片将内存阵列从横向排列改为纵向排列,从而能够垂直存储更多数据。

SanDisk总裁兼首席运营官Sanjay Mehrotra上周表示:“SanDisk正在开发3D读写内存,我们认为这种产品在未来10年将代替NAND闪存。”

SanDisk已经宣布和东芝合作开发3D内存。

SanDisk主席兼首席执行官Eli Harari说,自从收购了Matrix后,他们在3D内存开发方面取得了不小的进步,目前,围绕这种技术,SanDisk已经取得了200多项专利。

不过SanDisk发言人Michael Wong 说,3D内存取代闪存还有很长一段路要走。

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