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栅极器件电荷飞兆半导体的60V Trench MOSFET具有最低RDS(on) 和超低栅极电荷

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MOSFET,专为大电流汽车设备而设计,如发动机/机体负载控制、ABS、动力系管理和喷射系统。

FDB035AN06A0、FDP038AN06A0和 FDD10AN06是飞兆半导体针对汽车应用而推出新型中压(60V至150V) PowerTrench® 系列产品的首批60V器件。该系列MOSFET器件成功达致国际公认的AECQ101标准的要求,采用PowerTrench技术实现相同封装类型中业界最低的RDS(on)。

这些中压器件的栅极电荷非常低,特别适合大功率应用。在许多新型汽车设备中若干器件必须并联,以实现极低的总体导通阻抗。而由于PowerTrench MOSFET的栅极电荷低,因此所需的驱动电流以至驱动电路的尺寸也同时降低。例如,FDB035AN06A0的总栅极电荷为124 nC,及超低的RDS(on) (室温下TO-263封装的最大值为3.5毫欧)。对于电感性负载开关的应用,该器件具有625mJ @ 70A的单个或重复脉冲的UIS(Unclamped Inductive Surge)能力。

新推出的中压器件现已提供现货,批量订购1000个时FDB035AN06A0和FDP038AN06A0的价格为每个3.80美元,FDD10AN06A0的价格为每个1.32美元。
(编辑 Maggie)
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