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器件系列功率IR推出新款的PQFN 2mm x 2mm封装

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全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 扩展其封装系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封装。新的封装采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技术,为一系列的低功耗应用,包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、笔记本电脑、服务器和网络通讯设备,提供超小型、高密度和高效率的解决方案

新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的选择,并带有标准或逻辑水平栅极驱动器。这些器件只需要4mm2的占位空间,采用IR最新的低电压 N-通道和P-通道硅技术,从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封装的高功率密度。

IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR的新型PQFN2x2器件进一步扩展IR广阔的功率 MOSFET系列,也可以满足我们客户的需求,进一步缩小封装尺寸,并结合基准硅技术。这些新器件拥有超小尺寸和高密度,非常适合于高度数字化内容相关的应用。”

这个PQFN2x2系列包括为负载开关的高侧而优化的P-通道器件,带来一个更简单的驱动解决方案。同时,新器件的厚度少于1 mm,使它们与现有的表面贴装技术兼容,并且拥有行业标准的占位空间,还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

产品规格

组件编号

配置

BV (V)

最大Vgs (V)

10V

典型/最大RDS(on)(mΩ)

4.5V

典型/最大RDS(on)(mΩ)

2.5V

典型/最大RDS(on)(mΩ)

IRFHS9301

单一

-30

-20

30/37

48/60

-

IRLHS2242

单一

-20

-12

-

25 / 31

43 / 53

IRLHS6242

单一

+20

+12

-

9.4 / 11.7

12.4 / 15.5

IRLHS6342

单一

+30

+12

-

12 / 16

15 / 20

IRFHS8242

单一

+25

+20

10/13

17 / 21

-

IRFHS8342

单一

+30

+20

13/16

20 / 25

-

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