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产品线器件性能赛普拉斯推出四倍速和双倍速SRAM

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赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新型36-Mbit18-Mbit 容量的四倍速 (QDR) 和双倍速 (DDR) SRAM,这些新产品是其65-nm SRAM 系列产品中的最新成员。这些新的存储器件完善了业界最宽的65-nm同步SRAM产品线,最高容量可达144Mbit,速度最快可达550MHz。赛普拉斯拥有专利的工艺技术最多可将90-nmSRAM的功耗降低50%,引领了“绿色”网络架构应用的新潮流。

这些新器件可从外形、功能等方面向下兼容已被广泛采用的90-nmQDRII/QDRII+ SRAM(估计采用量远超6000万片),并且他们完全符合QDR联合会的标准。如此的兼容性允许现有产品的设计者无需改变板卡设计即可很方便地升级系统性能。65-nm SRAM是网络应用(包括骨干和边缘路由器、固定和模块化以太网交换机、3G基站和安全路由器)的理想选择。他们还能改善医用成像设备和军用信号处理系统的性能。QDRII+ 和 DDRII+器件具有片内终结器(ODT),因其省去了外部终结电阻,所以能够改善信号完整性、降低系统成本并节省板级空间。

赛普拉斯负责同步SRAM产品的副总裁Dave Kranzler说:“作为SRAM领域的领导者,我们一直致力于提供最完整的高性能SRAM产品线,提升客户产品的性价比,使之在市场上更具竞争力。赛普拉斯已经向全球超过150个客户发运了超过100万片65-nm SRAM,从而奠定了我们在高性能SRAM领域的领导地位。”

赛普拉斯的SRAM产品线包括有铅和无铅封装,分商业级、工业级和军用级,并且具有多种接口配置和性能范围可供选择。赛普拉斯还可与客户共同开发针对特定应用需求的解决方案。

36-Mbit CY712xxKV18 和 18-Mbit CY7C11xxKV18目前已量产,可通过赛普拉斯及其分销合作伙伴购买。每个器件均可根据I/O宽度(x18或x36)、突发长度(B4或B2)以及延迟(1.5-ns, 2.0-ns 或 2.5-ns)有不同的选择。

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